Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор - база: 75V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база: 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W Граничная частот...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2N2222A TO92
от 181 руб.
предложения от 1 магазина
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2N3904 (NPN, 0.2А, 40В)
от 129 руб.
предложения от 1 магазина
Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax - ±18В. тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
2N7000 транзистор
от 181 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 1AM транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT2222AR схема KTN2222AS характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не бол...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
2N3904 1AM транзистор 5 штук SOT23 SMD аналог FMMT2222AR схема KTN2222AS характеристики цоколевка даташит 1АМ
от 291 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 H331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N4401 схема MPS2222AG характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N3904 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база,...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
2N3904 H 331 транзистор 5 штук TO-92 аналог 2N4401 схема MPS2222AG характеристики ТО-92 цоколевка даташит
от 291 руб.
предложения от 1 магазина
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N7000 CXE транзистор (5 шт.) TO-92 аналог BS170 схема BSS138 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet N-канальный полевой транзистор 2N7000, как указано в его технических характеристиках, идеально подходят для широкого спектра устр...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
2N7000 CXE транзистор (5 шт.) TO-92 аналог BS170 схема BSS138 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet
от 391 руб.
предложения от 1 магазина
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 300 Гр...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2n3904
от 130 руб.
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2n3904
от 10 руб.
предложения от 1 магазина
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 300...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
2N3904 транзистор
от 180 руб.
предложения от 1 магазина
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 300 Гр...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2N3904
от 230 руб.
предложения от 1 магазина
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тр...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2N3904 (NPN, 0.2А, 40В)
от 129 руб.
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор 2N3904 (NPN, 0.2А, 40В) MCIGICM
от 3 руб.
предложения от 1 магазина
Описание СтруктураN-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси, В15 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс, А15 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В6 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс, Вт0.15 Крутизна характеристики S, мА/В7 КорпусKT-112 Про...
Транзистор КП305 (MFE3004, 2N4223)
от 280 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не боле...
S8050 J3Y транзистор 5 штук SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка даташит
от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых деталей LR024N IOR транзистор (5 шт.) TO-252 DPAK аналог 2SK2018-01S схема 2SK2231 характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET IRLR024N Характеристики транзистора IRLR024N Корпус - D-PAK Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное на...
LR024N транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK 2SK2018-01S схема 2SK2231 характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET IRLR024N
от 371 руб.
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более:...
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet TIP12
от 391 руб.
1. S8050 20шт 2. S8550 20шт 3. S9012 20шт 4. S9013 20шт 5. S9014 20шт 6. 2N3904 20шт 7. 2N3906 20шт 8. C1815 20шт 9. A1015 20шт 10. MJE13001 20шт количество в упаковке: 200 шт
Набор транзисторов в корпусах TO-92 в коробке 200шт
от 1 198 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8050 Y1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1036 схема 2SA1182 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Y-1 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не боле...
SS8050 Y1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1036 схема 2SA1182 характеристики цоколевка datasheet
от 291 руб.
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Транзистор BJT 2N3963 (PNP, 0.2А, 80В)
от 186 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2302 маркировка...
A2SHB транзистор 5 штук SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка даташит
от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база,...
2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222
от 391 руб.
В ----->комплекте MDF13N65B транзистор (1 шт.) TO-220F Наименование прибора: MDF13N65B MOSFET Замена для: FQP4N60C FQP5N50C FQP5N60C FQP6N60C FQP7N60C FQP8N60C FQP9N60C FQP10N60C FQP11N60C FQP12N60C Технические параметры Корпус TO-220F Напряжение исток-сток макс. 650В Т...
Транзистор MDF13N65B (1 шт.)
от 250 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...
Транзистор 2Т808А / Аналоги: КТ808А, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2SC1618, 2SD201, 2SD202, 2SD203, BLJY55, BLY47, KD602, KU606 / n-p-n переключательные
от 1 800 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 7002 транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2N7002 аналог MMBT2907A характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Н...
7002 транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2N7002 аналог MMBT2907A характеристики, цоколевка datasheet
от 291 руб.
Описание Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor Технические параметры Технология/семейство field stop Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А 180 Напряжение насыщения при номи...
Fairchild Semiconductor FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
от 540 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная темпер...
Транзистор 2SK2324
от 230 руб.
Тип: Электронные компоненты
Транзистор IXGR40N60C2D1 Isoplus247, 600V 56A HiPerFAST IGBT
от 785 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050 Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база,...
S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050
от 291 руб.
Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность колле...
Транзистор C945 TO-92, 2шт
от 220 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В С...
IRF530N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Silicon N-Channel MOSFET, Vdss=30V, Id=12A, Pd=1,9W, Rds(on)=7,6 mOhm (This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care) количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
TPC8037H транзистор
от 225 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не...
BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639
от 381 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов D882 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более:...
D882 TO-126 транзистор (2 шт.) 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35
от 391 руб.
N‐,Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Транзисторы EMA09N03AN ( A09N03 )
от 343 руб.
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...
Транзистор 2П103А / Аналоги: КП103А, 2N3329 / полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа
от 550 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BD135 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог BD137 схема BD165 характеристики цоколевка datasheet MJE722 Характеристики транзистора BD135 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более:...
BD135 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог BD137 схема BD165 характеристики, цоколевка datasheet MJE722
от 391 руб.
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
5 штук Транзистор 13009
от 550 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор 2SC8050
от 230 руб.
Производитель STMicroelectronics Серия PowerMESH ™ II Упаковочная трубка Статус детали Устаревший N-канальный полевой транзистор типа FET Технология MOSFET (оксид металла) Напряжение слива к источнику (Vdss) 500 В Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C 8A (Tc) Напряжение...
Транзистор IRF840
от 280 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
Плата Транзисторный Усилитель Only Music 2.7 120 ВтPCB amplifier, 2 шт
от 1 679 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки усилителя моно AX6 мощностью 50 - 60Вт на транзисторах 2N3773 обладающим мягким звучанием, в корпусе TO-3. На плате могут быть ошибки разводки. Сборку осуществляете самостоятельно без сопровождения. тип: Электронные компон...
Печатная Плата Усилитель AX6 50Вт на Транзисторах 2N3773 amplifier amp, 1 шт
от 750 руб.
Транзистор 650V 4A 30W 2.7-10V,2A 4V-250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs
Транзистор SVF4N65F
от 230 руб.
Транзисторы 2Т371А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях сверхвысоких частот. Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковы...
Транзистор 2Т371А / Аналоги: КТ371А, MA42265-287 / n-p-n сверхвысокочастотные усилительные
от 499 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13009 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2SC2335 схема 2SC2898 характеристики цоколевка datasheet MJE13009 MJE13009-2 транзистор NPN E13009-2 400В 12А TO-220 Наименование: E13009-2 Маркировка на корпусе: E13009-2 Структура транзисто...
E13009-2 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2SC2335 схема 2SC2898 характеристики цоколевка datasheet MJE13009
от 391 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 2 шт
от 1 290 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов JK A42 FY1212 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N6516 схема MPSW42 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet А42 Наименование производителя: A42 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимал...
JK A42 FY1212 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N6516 схема MPSW42 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet А42
от 391 руб.
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
Транзистор 13009
от 230 руб.
Тип транзистора: IGBT Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic|@25℃, A: 40 Напряжение насыщения кол...
Транзистор IHW20N120R3 (H20R1203) 1200В, 40А TO-247, 2 шт
от 547 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 1 шт
от 650 руб.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...
GT50JR22 50JR22 IGBT-транзисторы Toshiba Оригинал 4шт
от 701 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 55 Гр...
Транзистор 2SC3182
от 230 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор TIP42C
от 230 руб.
Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36В, используется для светодиодных фонарей, двигателей постоянного тока, помп. Характеристики: Рабочее напряжение: 3.3-20В Выходное напряжение: 0-36 В Выходной ток нагрузки: 15А (до 30А при наличии...
Модуль MOSFET транзистора D4184 (силовой ключ)
от 244 руб.
Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N. N-канал. Корп...
10 шт. Mosfet irfz44N полевой транзистор / Ардуино Arduino электронный компонент
от 650 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора...
IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
Плата Транзисторный Усилитель Only Music 2.7 120 Вт
от 930 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 80 Максимальное напр...
P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 391 руб.
N Channel, Id=60A, Vds=60V, Rds(on)=0.016ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=1V, Pd=110W, корпус-TO-220-3, t-175°C Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А: 60 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В...
Транзистор STP60NF06, 2 шт
от 370 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...
Транзистор BC327-25 (PNP, 0.5А, 45В)
от 129 руб.
Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи т...
Транзистор КТ805АМ 2 штуки
от 230 руб.
P-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=11A@T=25C, Id=8A@T=100C, Rds=0.175 R (max), P=38W, -55 to +150C) Технические характеристики IRFU9024N Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant СерияHEXFET® FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide FET Feat...
Транзистор IRFU9024N
от 310 руб.
Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 300(500) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваем...
Транзистор КТ209Е
от 230 руб.
Количество в упаковке: 20 шт
Транзисторы 2N5401 (Беларусь), TO-92, 20шт
от 599 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...
Плата Транзисторный Усилитель AX12 100Вт, 1 шт
от 690 руб.
Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...
Плата Транзисторный Усилитель AX12 100Вт, 2 шт
от 1 300 руб.
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...
Транзистор SPP-20N60C3, 20A, TO-220-AB
от 282 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...
Транзистор 2N3906
от 161 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор BC338
от 219 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N5551G схема 2N5833 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, н...
2N5551 B 331 транзистор 5 штук TO-92 аналог 2N5551G схема 2N5833 характеристики ТО-92 цоколевка даташит
от 291 руб.
Набор транзисторов в корпусе TO-92. 10 видов по 20 шт каждого. В комплекте: BC337 BC327 2N2222 2N2907 2N3904 2N3906 S8050 S8550 A1015 C1815 количество в упаковке: 20 шт. тип: транзистор
Набор транзисторов 200шт, 10 видов ТО-92 по 20 шт: BC337 BC327 2N2222 2N2907 2N3904 2N3906 S8050 S8550 A1015 C1815 (У)
от 577 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5401 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2SA709 схема 2N5551 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5401 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В Напряжение коллектор-база, н...
2N5401 B 331 транзистор 5 штук TO-92 аналог 2SA709 схема 2N5551 характеристики ТО-92 цоколевка даташит
от 291 руб.
N-channel Logic Level Enhancement mode OptiMOS Power-Transistor,Vds=55V, Id=30A, Rds(on)=35 mOhm, Ptot=68W
IPD 26N06S2L-35 транзистор
от 304 руб.
Ac-38717, 5503DM, Транзистор N-канальный, TO-263, ABC, Транзисторы, Биполярные с изолированным затвором (IGBTs), ON Semiconductor,, NP-FET SMD 5503DM orig TO263 (блок управления двигателем Форд/FORD) драйвер катушек зажигания Авто блок управл. двигателем Силовой драйвер...
5503DM, Транзистор N-канальный, [TO-263]
от 434 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор BD139
от 195 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (...
Транзистор 2SC2458
от 227 руб.
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...
Транзистор SPP20N60C3
от 302 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200..4...
Транзистор BC556B
от 230 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ44N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1720 схема HUF75321S3S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ44N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затво...
IRFZ44N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1720 схема HUF75321S3S характеристики цоколевка datasheet MOSFET
от 291 руб.
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...
Транзистор 2SD882
от 230 руб.
Транзистор 13003 в корпусу ТО-92 Цена за упаковку (2 шт) тип: транзистор
Транзистор 13003 корпус ТО-92 (2шт)
от 230 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси максА 18 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи максВ 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 Ом/11А, 10В Максимальная ра...
Транзистор IRF640N
от 230 руб.
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...
Транзистор MJE13001 (упаковка 2 шт)
от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...
Транзистор IRF520
от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 730 pf...
Транзистор IRF634A
от 230 руб.
Перечень, транзисторов в наборе(по 10 шт): f1015 s9012 s8850 s8050 a92 a42 a733 c1815 2n3904 2n555 s9015 s9014 2n5401 c945 2nj906 s9013 s9018
Набор транзисторов 170шт
от 419 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...
Транзистор 2SD601A SMD
от 230 руб.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=60V, Id=75A, Pd=150W, Rds(on)=13 mOhm
CEP75N06 транзистор
от 251 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (...
Транзистор BC848B SMD
от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор BC639
от 230 руб.
Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max) тип: транзистор
Транзистор IRFZ44N
от 230 руб.
В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки новых транзисторов D209L транзистор (2 шт.) TO-247 TO-3P аналог MJE13009 схема 2SC3320 характеристики цоколевка datasheet микросхема D209L применяется в различных переключающих схемах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных...
D209L транзистор (2 шт.) TO-247 TO-3P аналог MJE13009 схема 2SC3320 характеристики цоколевка datasheet микросхема
от 491 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор S8050
от 280 руб.
2N2907A 331 транзистор (5 шт.) TO92 MPS751 схема KSA709 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2907А Характеристики транзистора 2N2907A Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база...
2N2907A 331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог MPS751 схема KSA709 характеристики ТО-92 цоколевка, datasheet 2Н2907А
от 291 руб.
Двухканальный стерео усилитель высокой мощности цифровой аудио Тип чипа: TPA3110 Рабочее напряжение: DC8-26V Выходная мощность: 2*30 Вт Макс Сопротивление колонок: 4-8 Ом DC12V, 2*10 Вт DC26V, 2*30 W Канал: Поддержка двух каналов стерео Размеры:53*45*14 мм Возможно откл...
Стерео усилитель класса D 2*30Вт на TPA3110
от 851 руб.
Тип: Электронные компоненты
Транзистор IHW30N160R2 TO-247, мар-ка H30R1602, IGBT с диодом
от 766 руб.
КТ859А Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпу...
Транзистор КТ859А
от 230 руб.